收藏本站
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P9040NR1 MRF8P9040GNR1 MRF8P9040NBR1
VDD
=28Vdc,IDQ
= 320 mA,
Pout
=4.0WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
820
6.33 -- j6.70
6.02 -- j0.61
840
6.46 -- j6.14
5.89 + j0.00
860
6.47 -- j5.83
5.80 + j0.44
880
6.15 -- j5.53
5.59 + j0.73
900
5.77 -- j5.09
5.31 + j1.05
920
5.53 -- j4.65
5.13 + j1.44
940
5.39 -- j4.29
5.06 + j1.84
960
5.30 -- j3.95
5.03 + j2.28
980
5.26 -- j3.54
4.99 + j2.78
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 11. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF8P9300HSR6 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
MRF8S18120HR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780
MRF8S18260HSR6 MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8
MRF8S19140HSR3 FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS
MRF8S19260HSR6 FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8
MRF8S21120HSR3 FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS
MRF8S21140HSR3 FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
MRF8S21200HSR6 MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
相关代理商/技术参数
MRF8P9040NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9040NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9210NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HR6_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF8P9300HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HSR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray